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Introdução
Nos últimos anos tem-se assistido a um crescimento do interesse pelo estudo dos processos de crescimento epitaxial nos mais variados tipos de materiais. Este crescimento é devido em grande parte à necessidade cada vez maior que a Industria tem de produzir materiais que possuam determinadas características (eléctricas, magnéticas, elásticas...). Para que tal seja possível, é necessário compreender a forma como os átomos e moléculas dos diversos materiais se auto-organizam de forma a gerar estruturas regulares e com espaçamentos periódicos, semelhantes às mostradas em Fig. 1.1. O estudo deste tipo de processos, faz-se em duas grandes vertentes distintas. Uma vertente experimental recorre a técnicas como a MBE (Molecular Beam Epitaxy) e a ablação por lazer, que permitem verificar na prática como os diversos processos ocorrem. A outra, a teórica, que tenta, recorrendo tanto a métodos analíticos como numéricos, reproduzir e explicar os resultados obtidos experimentalmente, por forma a ser possível entender que factores são os mais determinantes na auto-organização dos componentes microscópicos dos materiais. Este estudo tem como objectivo principal permitir que esses diversos factores possam ser facilmente manipulados por forma a dar resposta às necessidade que a nossa sociedade, cada vez mais tecnológica, nos impõe cada vez mais no dia a dia.Ao longo da realização deste trabalho, procurou-se antes de mais obter uma compreensão básica acerca desta temática, recorrendo para tal à literatura disponível. Procurou-se também reproduzir resultados obtidos por diversas equipas de investigadores nesta área, por forma a que as técnicas necessárias no dia a dia da realização deste projecto fossem mais facilmente assimiladas. Além de tudo isto, procurou-se também aplicar o que já havia sido aprendido, com o objectivo de estudar a fundo um determinado modelo, com a esperança de se conseguir obter algum resultado novo, que contribuísse para uma melhor compreensão dos processos físicos em causa. O restante deste capítulo faz uma breve revisão dos conceitos teóricos mais importantes do que respeita a MBE, fractais e classes de universalidade mais relevantes nos processos de crescimento epitaxial. No segundo capítulo, estudam-se alguns modelos simples de crescimento, começando com modelos a 1 dimensão e evoluindo depois para modelos a 2 dimensões. Os resultados deste capitulo serão depois utilizados para melhor compreender os resultados obtidos nos modelos estudados mais aprofundadamente nos capítulos seguintes. No terceiro capitulo serão referidos os fundamentos em que assentam os Métodos de Monte-Carlo, e serão dados pormenores acerca da realização das simulações e da análise dos dados resultantes. No quarto capitulo descreve-se pormenorizadamente o algoritmo utilizado para estudar o modelo a 1D e expõem-se os resultados obtidos. No quinto capitulo tenta-se expor os resultados obtidos a duas dimensões, fazendo-se também referencia ao algoritmo utilizado neste caso. No sexto capitulo, será feita a critica, e tentar-se-ao retirar as conclusões possíveis dos resultados obtidos ao longo da realização deste projecto.
Molecular Beam EpitaxyNesta dissertação tentaremos estudar teoricamente processos de crescimento de superfícies. Como já foi dito, estes processos realizam-se experimentalmente através de técnicas de MBE, pelo que é fundamental compreendermos bem este tipo de técnicas antes de prosseguirmos com o seu estudo teórico.
Numa experiência de crescimento de interfaces através de MBE, estamos perante uma superfície de material que forma o substracto sobre o qual se vão depositar as partículas que constituem o feixe com que é bombardeado o substracto. Por forma a evitar reacções não desejadas, a câmara em que se desenrola este processo está submetida a um vácuo o mais completo possível. Este tipos de processos encontram-se esquematizados na
Fig. 1.2. As partículas incidentes no substracto são capturadas, difundindo-se na sua superfície até encontrarem um local adequado onde lhes seja permitido agregarem-se. É ainda possível que as partículas após se terem fixado ao substracto, e devido aos efeitos da temperatura
Existem três modos possíveis de crescimento. O modo de Frank-van der Merwe, em que o crescimento se efectua em camadas, só se começando a formar a camada seguinte após a camada anterior estar completa. O modo de Stranski-Krastanov, em que após se terem formado algumas camadas completas, se inicia o crescimento de aglomerados tridimensionais de partículas. Finalmente, é possível que os aglomerados (clusters) de partículas se comecem a formar logo desde o inicio, sendo este modo de crescimento chamado de modo de Volmer-Weber. Estes três modo estão representados na Fig. 1.4. Antes de podermos prosseguir com o estudo deste tipo de processos, é necessário considerarmos alguns dos fundamentos teóricos em que o seu estudo se baseia. Para tal, é conveniente estudarmos brevemente algumas propriedades dos fractais que serão posteriormente utilizadas no estudo teórico.
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| (1.1) |
onde
é um expoente. E é auto-afim, se obedece a uma relação semelhante para cada um dos seus argumentos, com um valor diferente de
para cada um deles. A relação anterior apenas exprime o facto de que a função é aproximadamente a mesma, se dividir-mos o se argumento por um factor
e multiplicarmos o valor da função nesse ponto por um factor de
.
Escalonamento
Devido á auto-similaridade, características do objecto observadas a uma determinada resolução espacial estão relacionadas com as características observadas a todas as outras. Logo, o valor medido para uma determinada propriedade depende da resolução com que ela foi determinada. A forma dessa dependência é chamada de relação de escalonamento1.2. A relação de escalonamento apenas pode apresentar duas formas, a de uma lei de potencia e chamada forma completa. Se r representar a resolução a que uma determinada medição
é feita, a lei de potencia é simplesmente:
| (1.2) |
com
e
constantes. A forma completa é:
![]() |
(1.3) |
com
,
e
constantes. A função
apresenta ainda a propriedade
Dimensão
A dimensão diz-nos quantas novas características de um objecto são reveladas quando ele é observado a resoluções cada vez maiores. Existem diversos tipos de dimensões, que são utilizadas para descrever propriedades diferentes de um determinado objecto. Podem ser considerados três tipos principais de dimensão:
Dimensão fractal -- Descreve a forma como um objecto ocupa o seu espaço. Ela dá-nos informação acerca comprimentos, áreas ou volumes de objectos. A dimensão fractal pode ser expressa através de um numero inteiro ou fraccionário. Podem ser considerados diversos exemplos de dimensões fractais, como sejam:
- Dimensão de auto-similaridade - Esta dimensão diz-nos quantos
objectos mais pequenos1.3 serão produzidos se dividir-mos cada segmento de recta de um determinado objecto em
segmentos mais pequenos. Esta dimensão é calculada recorrendo á equação:

(1.4)
- Dimensão de capacidade - Esta dimensão define qual o numero mínimo de esferas
que é necessário para cobrir todas as partes de um objecto. A dimensão de capacidade é definida como:

(1.5)
Dimensão topológica -- Descreve a forma como os ponto que compõem o objecto estão ligados uns aos outros. O valor desta dimensão é sempre um inteiro, sendo que vértices, superfícies e volumes têm dimensão topológica de, respectivamente, um, dois e três.
Dimensão envolvente -- Descreve a dimensão fractal do espaço que contem o objecto. Esta dimensão pode ser expressa por um numero inteiro, se o nosso objecto estiver numa linha, plano, volume, ou por um numero fraccionário, se o objecto estiver inserido dentro de outro objecto fractal.
Propriedades Estatísticas
Os fractais apresentam uma série de propriedades estatísticas dispares dos objectos não fractais. Um exemplo destas propriedades algo estranhas é o facto de que o valor médio de uma determinada característica pode não existir. Em particular, se o fractal for auto-similar, o valor médio não existe, uma vez que, á medida que aumentamos o numero de medições, o valor dá média não converge para nenhum valor finito, podendo tanto diminuir até atingir zero, ou aumentar até ao infinito.
Classes de Universalidade
No estudo teórico dos diversos processos de crescimento, é possível definir um conjunto de expoentes críticos, nomeadamente,
e z=
. Estes expoentes são determinados a partir dos diversos comportamentos assimptóticos da largura da superfície, definida como:
![]() |
(1.6) |
A evolução temporal de
apresenta tipicamente duas regiões distintas separadas por um tempo de ``crossover''
. Inicialmente, a largura aumenta obedecendo a uma lei de potencia relativamente ao tempo:
| (1.7) |
O valor da largura continua então a aumentar até atingir um regime de saturação durante o qual esta grandeza atinge um valor máximo de saturação
de acordo com:
| (1.8) |
Naturalmente, o tempo de saturação
depende também do tamanho do sistema,
| (1.9) |
Na literatura [3,19,32,37], são habitualmente definidas diversas classes de universalidade, sendo que todos os modelos que apresentem os mesmos valores dos expoentes pertencem á mesma classe. A equação estocástica assimptótica de crescimento da altura
de cada um dos modelos de todas as classes de universalidade podem ser descritas conjuntamente recorrendo a uma equação de Langevin da forma:
onde
![]() |
É também conveniente definir a função de correlação entre dois pontos. Esta função indica-nos a forma como a presença de uma partícula num dado ponto
| (1.12) |
sendo que é efectuada a média sobre todos os valores de
| (1.13) |
Nas secções seguintes, descreveremos brevemente as mais relevantes para o estudo deste tipo de fenómenos.
Deposição Aleatória (DA)
Este é o caso mais simples de todos os processos de crescimento. Uma partícula é depositada no topo de uma coluna escolhida aleatoriamente. Neste caso temos:
![]() |
(1.14) |
![]() |
(1.15) |
E o valor de
não se encontra definido, uma vez que, como não existe qualquer tipo de correlação entre as diversas colunas que constituem o sistema, a largura da interface nunca satura. Um exemplo deste tipo de processos está descrito mais detalhadamente na
Sec. 2.1
Modelo de Edwards-Wilkinson (EW)
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Se ao modelo descrito anteriormente, acrescentar-mos um mecanismo de relaxação, por forma a que a partícula a ser depositada se possa difundir para um mínimo local de altura obtemos um modelo pertencente á classe de universalidade de Edwards-Winkinson. Nesta classe os expoentes críticos tomam os valores,
![]() |
e a Eq. 1.10 apresenta a seguinte forma:
Um ponto importante a ser tomado em consideração, é que a classe EW prevê um crescimento suave (
) no caso de 2+1 dimensões espaciais, já que nesta situação, a largura (ou rugosidade) da superfície, apresenta um crescimento logarítmico. De todas
as classes possíveis, a de EW é a que produz as superfícies mais suaves, uma vez que é a que possui os menores valores possíveis de
e
em qualquer dimensão. Os modelos estudados durante a realização desta dissertação pertencem todos a este tipo de processos, devido á sua grande importância tecnológica na produção da maioria dos materiais electrónicos.
Modelo de Kardar-Parisi-Zhang (KPZ)
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Se além dos processos descritos para a classe anterior, agora permitirmos a evaporação e a formação de ``overhangs'', diz-se que o modelo assim construído pertence á classe KPZ. Esta é a classe mais genérica, e que portanto se deve aplicar a todos os sistemas de crescimento de superfícies, apesar de raramente se encontrarem experimentalmente os expoentes correspondentes a esta classe, que são respectivamente:
![]() |
Onde os valores para
são apenas aproximados, tendo sido obtidos através de extensas simulações numéricas.
Nesta classe, a expressão equivalente á
Eq. 1.17 tem um termo não linear, tomando agora a forma:
![]() |
(1.19) |
Modelo de Mullins-Herring (MH)
Se o nosso modelo apresenta difusão superficial e não possui nenhum tipo de relaxação semelhante ao de EW, então é possível que ele pertença á classe de universalidade de MH. Esta classe é por vezes chamada de Das Sarma-Tamborene (DT) ou Wolf-Villain (WV) e possui os seguinte expoentes críticos:
![]() |
Actualmente, ainda não é claro se este tipo de fenómenos corresponde a uma verdadeira classe de universalidade, ou se corresponde apenas a um estado transitório entre a classe de EW e a de MBE. No entanto, o consenso parece inclinar-se para o lado desta última hipótese, uma vez que a
,
, o que implica que a morfologia da superfície não é auto-afim. O grande valor de
faz com que a evolução das correlações laterais
, o que por sua vez dificulta o estudo do comportamento do estado de equilíbrio1.4.
A equação de Langevin correspondente é:
Molecular Beam Epitaxy (MBE)
A ultima classe que trataremos será a chamada classe de Molecular Beam Epitaxy (MBE), sendo também conhecida como classe de Lai-Das Sarma-Villain (LDV) ou Villain-Lai-Das Sarma (VLD). Esta é a classe de modelos mais importante no estudo dos crescimentos epitaxiais, desde que o processo de crescimento seja conservado e que não seja permitido que as partículas adiram umas às outras lateralmente sem terem uma outra partícula de suporte na camada imediatamente inferior, e que a relaxação de EW esteja ausente. A equação estocástica e os expoentes críticos de crescimento são, respectivamente:
![]() |
(1.22) |
![]() |
Esta equação, é uma versão não linear da Eq. 1.21, o que faz com que frequentemente os resultados obtidos experimentalmente sejam superiores aos previstos teoricamente, indicando uma transição entre esta classe e a classe MW. A forma de as distinguir é medindo a torção da superfície1.5[37], dada pela equação Eq. 1.24.
Tanto as classes EW como MH têm
, enquanto que a classe MBE tem
.



![$\displaystyle w(L,t)\equiv\sqrt{\frac{1}{L}\sum_{i=1}^L[h(i,t)-\bar h(t)]^2}$](images/img46.gif)














